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STW120NF10中文资料

STW120NF10图片

STW120NF10外观图

  • 大小:374.8KB
  • 厂家:STMicroelectronics
  • 描述: MOSFET, N CH, 100V, 120A, TO-247; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:60A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):9mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-247; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Current Id Max:110A; Package / Case:TO-247; Power Dissipation Pd:312W; Termination Type:Through Hole; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vds Typ:100V; Voltage Vgs Max:4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • 其它有关文件:STW120NF10 View All Specifications
  • 标准包装:30
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:STripFET™
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss):100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:110A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:10.5 毫欧 @ 60A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:233nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:5200pF @ 25V
  • 功率 - 最大:312W
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-247-3
  • 供应商设备封装:TO-247-3
  • 包装:管件
  • 其它名称:497-5166-5

STW120NF10供应商

更新时间:2023-01-01 18:10:33
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