STW120NF10中文资料
STW120NF10图片
- 大小：374.8KB
- 厂家：STMicroelectronics
- 描述： MOSFET, N CH, 100V, 120A, TO-247; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:60A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):9mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-247; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Current Id Max:110A; Package / Case:TO-247; Power Dissipation Pd:312W; Termination Type:Through Hole; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vds Typ:100V; Voltage Vgs Max:4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
- 其它有关文件：STW120NF10 View All Specifications
- 标准包装：30
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 单
- 系列：STripFET™
- FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点：标准型
- 漏极至源极电压(Vdss)：100V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：110A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：10.5 毫欧 @ 60A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：233nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：5200pF @ 25V
- 功率 - 最大：312W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-247-3
- 供应商设备封装：TO-247-3
- 包装：管件
- 其它名称：497-5166-5
STW120NF10供应商
更新时间:2023-01-01 18:10:33- 供应商
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